FQP10N60C, FQPF10N60C دیتاشیت

FQP10N60C, FQPF10N60C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQP10N60C, FQPF10N60C
حجم فایل 1505.852 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

دانلود دیتاشیت FQP10N60C, FQPF10N60C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Not For New Designs
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
  • Base Part Number: FQPF1
  • detail: N-Channel 600V 9.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F

محصولات مشابه